客戶對于以更高吞吐量處理更多數據的需求日益增加,這持續推動著系統標準的不斷發展,以解決多個市場細分和應用內的這些需求。 這些發展中的標準需要具有較高 RF 性能的 RF 組件,以改善系統的信噪比 (SNR),從而提高數據速率和吞吐量。

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對于需要各種設計復雜性、配置和性能(取決于每種應用的具體要求)的大多數應用而言,射頻開關是一類重要的組件。 Renesas 繼續打造具有業內領先性能的 射頻開關產品組合,以解決這些不斷演變的需求。

關于 Renesas 的 射頻開關

Renesas?提供 SPDT、SP4T 和 SP5T 射頻開關,這些交換機采用 Kz 恒定阻抗技術,具有極低的插入損耗和極高的輸入 IP3 性能。 高隔離交換機具有寬頻率帶寬和更大的工作溫度范圍,能夠在應用中實現高可靠性。 此外,Renesas 的 射頻開關利用先進的 RF 硅半導體技術,與 GaA 等其他技術相比更具優勢:

  • 具有較高的靜電放電 (ESD) 抗擾性和 MSL1 潮濕敏感度等級,更加穩定
  • 過溫環境下保持出色的 RF 性能,且電流損耗較低
  • 與 GaA 相比,具有更高的可靠性
  • 與更簡單的封裝組件進行較高程度的集成,從而改善熱性能并降低總成本

Kz 恒定阻抗: 在不同的 RF 端口切換時,Kz 能夠保持近恒定的系統阻抗。 這樣的創新技術改善了系統的熱切換穩固性,最大限度地減弱了 VCO 振蕩器中的 LO 頻率牽引,并減少了配電網中相位和幅度的變動。 此外,它還是多個放大器之間進行動態切換的理想選擇,同時能夠避免對 PA 和 ADC 等上游/下游敏感器件造成損壞。

插入損耗:低插入損耗能夠改善整體系統的性能,并提高數據吞吐量,從而有助于提高接收器的靈敏性,以及最大限度地降低發送器路徑中不必要的信號損失。 當頻率為 2 GHz 時,插入損耗通常僅為 0.5 dB,因此,RF 切換機能夠實現較低的路徑損失,同時保持高隔離性能。

IM3 失真:為了滿足日益增長的客戶需求,數據速率不斷提高,因此,系統要求具有更高線性度的 RF 組件,以保持系統的信噪比 (SNR)。 這些交換機的目的是,當頻率為 2 GHz 時,能夠提供高達 65 dBm 的輸入 IP3 性能,以幫助設計人員保持較高水平的系統性能。

高隔離:當終端設備不斷發展,能夠涵蓋多個頻帶和多個模式時,射頻開關必須具備高隔離性能,以保持信號完整性,并消除通道間交擾的影響,且不會影響低插入損耗。 借助于這些交換機,當頻率高達 2 GHz 時,RF 通用端口和 RF 輸出端口之間的最低隔離可高達 71 dB,從而能夠提供設計人員所需的高隔離性能,以支持當今日益嚴苛的高性能應用要求。

寬頻率帶寬:頻譜變得擁擠且產品的開發時期較短,這些均要求組件能夠在較寬的頻率帶寬內保持出色的 RF 性能。 高隔離交換機的目的是,在高達 300 kHz 至 8000 MHz 的寬頻率范圍內保持低插入損耗和低失真性能,從而滿足廣泛寬帶設備應用的需求,并最大限度地縮短設計周期。

更大的溫度范圍:隨著數據速率不斷提高,而系統封裝的尺寸越來越小,這些封裝內的環境溫度持續上升,這推動了市場對熱效率、更高可靠性以及具有更佳溫度性能的 射頻開關的需求。 這些交換機旨在適用于廣泛的應用,且操作溫度范圍可高達 -55 至 +125?C。具有優秀熱效率的單片硅設計可在更大的溫度范圍內實現卓越的溫度穩定性,非常適合各種廣泛的高性能 RF 應用。

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