采用 Arm? Cortex? M 內核,基于硅晶薄氧化物埋層(SOTB)工業技術的全球頂級超低功耗 MCU

在EEMBC ULPMark? 基準測試中,ULPMark-CP 得分很高,達到 705

基于硅晶薄氧化物埋層 (SOTB?) 工藝技術的 RE 系列產品,實現了在運行和待機模式下以及低電壓 (1.62V) 下的高速 CPU 運行 (64MHz) 時都可實現超低電流消耗,而傳統主體硅工藝無法做到這一點。RE01 已通過 EEMBC 認證,在 EEMBC ULPMark? 基準測試中,ULPMark-CP 得分很高,達到 705。EEMBC ULPMark? 標準專門提供了比較超低功耗 MCU 能效的標準方法。此外,借助內置能量采集控制電路,設備能夠以極弱的環境能量利用能量采集電源進行工作。

RE 系列產品能夠顯著延長電池續航時間,在使用小電池和能量采集電源的應用中,也可以提供高性能。RE 系列產品適用于很多物聯網應用,比如混合式電子表、智能家居/樓宇、保健、智能架構、結構監測、跟蹤器。

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Renesas RE Family 日本語 傳單 PDF 390 KB